Transistor de canal N 2SK1120, TO-3PN ( 2-16C1B ), 1 kV, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, 2-16C1B, 1000V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 180pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 8A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 24A. Marcado del fabricante: K1120. Marcado en la caja: K1120. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Peso: 4.6g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. RoHS: sí. Spec info: Aplicación de convertidor CC-CC y accionamiento de motor. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Silicon N Channel Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 3.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26