Transistor de canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 780pF. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 32 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Hitachi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26