Transistor de canal N 2N7002, SOT-23 ( TO-236 ), 60V, 60V, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 60V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 0.075A. DI (T=25°C): 0.115A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 50pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Características: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 25pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 7 Ohms @ 0.05A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.280A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Transistor MOSFET de pequeña señal. IDss (mín.): 1uA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 0.28A. Identificación (diablillo): 0.8A. Información: -. MSL: 1. Marcado del fabricante: 72. Marcado en la caja: 702. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Polaridad: MOSFET N. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): -. Rds on (max) @ id, VGS: 5 Ohms / 500mA / 10V. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. RoHS: sí. Serie: -. Spec info: 702. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -30V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31