transistor de canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

transistor de canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Cantidad
Precio unitario
1-2
19.39€
3-4
18.46€
5-9
16.28€
10+
15.09€
Cantidad en inventario: 9

Transistor de canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4 Ohms. Vivienda: TO-3PN 13-16A1A. Voltaje Vds(máx.): 1400V. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 500pF. Diodo Trr (Mín.): 1400 ns. Diodo de germanio: no. Función: Conmutación de alto voltaje. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 10A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 240W. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Nec. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03

2SK1271
26 parámetros
DI (T=100°C)
3A
DI (T=25°C)
5A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
4 Ohms
Vivienda
TO-3PN 13-16A1A
Voltaje Vds(máx.)
1400V
C(pulg)
1800pF
Cantidad por caja
1
Costo)
500pF
Diodo Trr (Mín.)
1400 ns
Diodo de germanio
no
Función
Conmutación de alto voltaje
Identificación (diablillo)
10A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
240W
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
220 ns
Td(encendido)
25 ns
Tecnología
transistor MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
3.5V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
1.5V
Producto original del fabricante
Nec