Transistor de canal N 2SK1489, 21F1B, 1 kV. Vivienda: 21F1B. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 1 kV. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 12A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: 2SK1489. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 500 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 140 ns. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27