Transistor de canal N 2SK2314, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 155 ns. Función: Electrónica del coche. Identificación (diablillo): 108A. Marcado en la caja: K2314. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: ESD Protected--2000V min. Td(apagado): 140us. Td(encendido): 30us. Tecnología: Transistor de efecto de campo de potencia. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03