Transistor de canal N 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 105pF. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Función: High Speed, H.V. Identificación (diablillo): 15A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 80 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31