Transistor de canal N 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.33 Ohms. Vivienda: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 150pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Función: Transistor de efecto de campo. Identificación (diablillo): 6A. Marcado en la caja: ZA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.5W. Protección G-S: Supresor. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31