Transistor de canal N 2SK2645, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 10nA. Identificación (diablillo): 32A. Marcado en la caja: K2645. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: Fuji Electric. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31