Transistor de canal N 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.19 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 75pF. Diodo Trr (Mín.): 450 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 16A. Marcado en la caja: K2647. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: Fuji Electric. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31