Transistor de canal N 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 20pF. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Función: Alta velocidad, conmutación de alto voltaje, convertidores CC/CC. Identificación (diablillo): 15A. Marcado en la caja: K2717. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 90 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31