Transistor de canal N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.9 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 700V. C(pulg): 1850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 400pF. Diodo Trr (Mín.): 2.5us. Función: Conmutación de energía de alta velocidad. IDss (mín.): na. Identificación (diablillo): 48A. Potencia: 175W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de canal N. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tf(mín.): TO-3P ( TO3P ). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Hitachi. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31