transistor de canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

transistor de canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.23€
5-24
3.74€
25-49
3.38€
50-99
3.14€
100+
3.04€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 4

Transistor de canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.6 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 550pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 115pF. Diodo Trr (Mín.): 1.3us. Función: MOSFET de conmutación de ENERGÍA, uso industrial. Identificación (diablillo): 16A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: Nec. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03

Documentación técnica (PDF)
2SK3114
27 parámetros
DI (T=25°C)
4A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.6 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
550pF
Cantidad por caja
1
Costo)
115pF
Diodo Trr (Mín.)
1.3us
Función
MOSFET de conmutación de ENERGÍA, uso industrial
Identificación (diablillo)
16A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
30W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
35 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
transistor MOSFET
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
2.5V
Producto original del fabricante
Nec

Productos y/o accesorios equivalentes para 2SK3114