transistor de canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

transistor de canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.64€
5-9
2.28€
10-24
2.05€
25-49
1.90€
50+
1.69€
Cantidad en inventario: 40

Transistor de canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): SC-67, 2-10U1B. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: K3569. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Peso: 1.7g. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2SK3569
32 parámetros
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.54 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
SC-67, 2-10U1B
Voltaje Vds(máx.)
600V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
1500pF
Cantidad por caja
1
Costo)
180pF
Diodo Trr (Mín.)
1300 ns
Función
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Identificación (diablillo)
40A
Marcado en la caja
K3569
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
45W
Peso
1.7g
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
180 ns
Td(encendido)
50 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT-MOSVI)
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Toshiba