Transistor de canal N 2SK363, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 75pF. Diodo Trr (Mín.): 850 ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 125 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31