Transistor de canal N 2SK3679, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.22 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 140pF. Diodo Trr (Mín.): 3.2us. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 36A. Marcado en la caja: K3679. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Fuji Electric. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25