Transistor de canal N 2SK3799, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( SC-67 ). Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 190pF. Diodo Trr (Mín.): 1700 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 24A. Marcado en la caja: K3799. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 65 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25