transistor de canal N 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V

transistor de canal N 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
7.32€
5-24
6.63€
25-49
6.33€
50-99
5.80€
100+
5.29€
Cantidad en inventario: 2

Transistor de canal N 2SK3850TP-FA, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 14 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 96pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 29pF. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 2.8A. Marcado en la caja: K3850. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 9 ns. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
2SK3850TP-FA
27 parámetros
DI (T=25°C)
0.7A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
14 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaje Vds(máx.)
600V
C(pulg)
96pF
Cantidad por caja
1
Costo)
29pF
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
2.8A
Marcado en la caja
K3850
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
15W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
no
RoHS
Td(apagado)
16 ns
Td(encendido)
9 ns
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.5V
Vgs(th) mín.
2.5V
Producto original del fabricante
Sanyo