Transistor de canal N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.35 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 130pF. Diodo Trr (Mín.): 1100 ns. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. Identificación (diablillo): 18A. Marcado en la caja: K4013 Q. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 80 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25