transistor de canal N 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

transistor de canal N 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.30€
5-24
3.01€
25-49
2.72€
50+
2.47€
Cantidad en inventario: 51

Transistor de canal N 2SK4075, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 5.2m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 2900pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 450pF. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Función: Aplicaciones de conmutación de alta corriente. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 180A. Marcado en la caja: K4075. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: MOSFET DE POTENCIA, Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Nec. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
2SK4075
29 parámetros
DI (T=100°C)
28A
DI (T=25°C)
60A
Idss (máx.)
1uA
Resistencia en encendido Rds activado
5.2m Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
2900pF
Cantidad por caja
1
Costo)
450pF
Diodo Trr (Mín.)
33 ns
Función
Aplicaciones de conmutación de alta corriente
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
180A
Marcado en la caja
K4075
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
52W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
54 ns
Td(encendido)
18 ns
Tecnología
MOSFET DE POTENCIA, Transistor de efecto de campo
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1.5V
Producto original del fabricante
Nec