transistor de canal N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

transistor de canal N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.26€
5-9
7.27€
10-14
6.60€
15-29
6.12€
30+
5.34€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 24

Transistor de canal N 2SK4108, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.21 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 320pF. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Función: Aplicaciones del regulador de conmutación. IDss (mín.): n/a. Identificación (diablillo): 80A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 280 ns. Td(encendido): 130 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (MOS VI). Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
2SK4108
28 parámetros
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
100uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.21 Ohms
Vivienda
TO-3PN ( 2-16C1B )
Vivienda (según ficha técnica)
2-16C1B
Voltaje Vds(máx.)
500V
C(pulg)
3400pF
Cantidad por caja
1
Costo)
320pF
Diodo Trr (Mín.)
1300 ns
Función
Aplicaciones del regulador de conmutación
Identificación (diablillo)
80A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
150W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
280 ns
Td(encendido)
130 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo, tipo MOS (MOS VI)
Temperatura de funcionamiento
-...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Toshiba

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