Transistor de canal N 2SK793, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Resistencia en encendido Rds activado: 2.5 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 850V. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25