Transistor de canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. DI (T=25°C): 0.15A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7 Ohms. Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SSFP. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 7pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 5.9pF. Función: Ultrahigh-Speed Switching. Identificación (diablillo): 0.6A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 0.15W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 150 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: transistor MOSFET de silicio. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.3V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52