Transistor de canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V. Vivienda: SOT-343. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 12.5V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 30mA. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: -. Número de terminales: 4. Retardo de desconexión tf[nseg.]: -. RoHS: sí. Temperatura máxima: +125°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: -. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25