Transistor de canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 22M Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. : mejorado. C(pulg): 630pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 6nC. Corriente de drenaje: 4.7A. Costo): 75pF. Diodo Trr (Mín.): 16.8 ns. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 25A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Polaridad: unipolares. Potencia: 1.4W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 21.5 ns. Td(encendido): 3.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 30V. Voltaje de fuente de puerta: ±12V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52