Transistor de canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 18M Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 1160pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 187pF. Diodo Trr (Mín.): 17.7 ns. Función: Baja carga de entrada. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 30A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: Protegido contra ESD. Td(apagado): 51.7 ns. Td(encendido): 6.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52