Transistor de canal N AO4264E, SO8. Vivienda: SO8. : mejorado. Cargar: 7nC. Corriente de drenaje: 10.5A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Propiedades del semiconductor: Protegido contra ESD. RoHS: sí. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 60V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Alpha and Omega Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:15