transistor de canal N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v

transistor de canal N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.57€
5-24
1.33€
25-49
1.14€
50-99
0.98€
100+
0.80€
Cantidad en inventario: 60

Transistor de canal N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0047 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 6060pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 638pF. Diodo Trr (Mín.): 33.5 ns. Función: Low side switch in Notebook CPU core power converter. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Resistencia de puerta ultrabaja. Td(apagado): 51.5 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52

Documentación técnica (PDF)
AO4430
31 parámetros
DI (T=100°C)
15A
DI (T=25°C)
18A
Idss (máx.)
5uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0047 Ohms
Vivienda
SO
Vivienda (según ficha técnica)
SO-8
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
6060pF
Cantidad por caja
1
Costo)
638pF
Diodo Trr (Mín.)
33.5 ns
Función
Low side switch in Notebook CPU core power converter
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
80A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
8:1
Pd (disipación de potencia, máx.)
3W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Spec info
Resistencia de puerta ultrabaja
Td(apagado)
51.5 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
Efecto de campo del modo de mejora (SRFET)
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors