Transistor de canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12.7A. Idss (máx.): 20mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0098 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1980pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 317pF. Diodo Trr (Mín.): 11.2 ns. Función: FET en SMPS, conmutación de carga. IDss (mín.): 0.02mA. Identificación (diablillo): 60A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 27 ns. Td(encendido): 5.5 ns. Tecnología: Efecto de campo del modo de mejora (SRFET). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25