transistor de canal N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V

transistor de canal N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.71€
5-24
0.59€
25-49
0.51€
50-99
0.46€
100+
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Transistor de canal N AO4828, SO, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO-8, 60V. Vivienda: SO. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 46m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. : mejorado. Cantidad por caja: 2. Cargar: 4.3nC. Corriente de drenaje: 4.5A. Diodo Trr (Mín.): 27.5us. Función: Transistor MOSFET, Rds (ON) muy bajo. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de salidas: 2. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Potencia: 1.28W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET x2. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: 60V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 4.7V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:24

Documentación técnica (PDF)
AO4828
32 parámetros
Vivienda
SO
DI (T=100°C)
3.6A
DI (T=25°C)
4.5A
Idss (máx.)
5uA
Resistencia en encendido Rds activado
46m Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
SO-8
Voltaje Vds(máx.)
60V
mejorado
Cantidad por caja
2
Cargar
4.3nC
Corriente de drenaje
4.5A
Diodo Trr (Mín.)
27.5us
Función
Transistor MOSFET, Rds (ON) muy bajo
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
20A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de salidas
2
Número de terminales
8:1
Pd (disipación de potencia, máx.)
2W
Potencia
1.28W
RoHS
Tecnología
Transistor de efecto de campo en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Voltaje de fuente de drenaje
60V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
4.7V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors