transistor de canal N AOD408, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal N AOD408, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.20€
5-24
1.06€
25-49
0.96€
50-99
0.88€
100+
0.75€
Cantidad en inventario: 176

Transistor de canal N AOD408, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 13.6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 1040pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: D408. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) AOD405. Td(apagado): 17.4 ns. Td(encendido): 4.5 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AOD408
33 parámetros
DI (T=100°C)
18A
DI (T=25°C)
18A
Idss (máx.)
5uA
Resistencia en encendido Rds activado
13.6m Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
1040pF
Cantidad por caja
1
Costo)
180pF
Diodo Trr (Mín.)
19 ns
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
40A
Marcado en la caja
D408
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
60W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) AOD405
Td(apagado)
17.4 ns
Td(encendido)
4.5 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
2500
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors