transistor de canal N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.91€
5-49
0.72€
50-99
0.64€
100+
0.57€
Cantidad en inventario: 73

Transistor de canal N AOD444, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 47m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 61pF. Diodo Trr (Mín.): 27.6 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 30A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 4.2 ns. Tecnología: Última tecnología MOSFET de Trench Power. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AOD444
30 parámetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
5uA
Resistencia en encendido Rds activado
47m Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
450pF
Cantidad por caja
1
Costo)
61pF
Diodo Trr (Mín.)
27.6 ns
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
30A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
20W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
Td(apagado)
16 ns
Td(encendido)
4.2 ns
Tecnología
Última tecnología MOSFET de Trench Power
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
2500
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors