transistor de canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.95€
5-49
0.75€
50-99
0.64€
100+
0.56€
Cantidad en inventario: 2298

Transistor de canal N AOD518, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 951pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 373pF. Diodo Trr (Mín.): 10.2 ns. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 96A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: RDS muy bajo (encendido) a 10VGS. Td(apagado): 18.5 ns. Td(encendido): 6.25 ns. Tecnología: Última tecnología MOSFET de Trench Power. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) mín.: 1.8V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AOD518
32 parámetros
DI (T=100°C)
42A
DI (T=25°C)
54A
Idss (máx.)
5uA
Resistencia en encendido Rds activado
6m Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
951pF
Cantidad por caja
1
Costo)
373pF
Diodo Trr (Mín.)
10.2 ns
Función
Convertidor de voltaje CC/CC
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
96A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
1W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Spec info
RDS muy bajo (encendido) a 10VGS
Td(apagado)
18.5 ns
Td(encendido)
6.25 ns
Tecnología
Última tecnología MOSFET de Trench Power
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
2500
Vgs(th) mín.
1.8V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors