transistor de canal N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V

transistor de canal N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.95€
5-24
1.68€
25-49
1.49€
50-99
1.31€
100+
1.08€
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Transistor de canal N AOD5T40P, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 3.9A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 273pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 16pF. Diodo Trr (Mín.): 172ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 15A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 52W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 17 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

AOD5T40P
26 parámetros
DI (T=100°C)
2.5A
DI (T=25°C)
3.9A
Idss (máx.)
10uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.2 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaje Vds(máx.)
400V
C(pulg)
273pF
Cantidad por caja
1
Costo)
16pF
Diodo Trr (Mín.)
172ns
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
15A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
52W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
18 ns
Td(encendido)
17 ns
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V