Transistor de canal N AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9m Ohms. Vivienda: PowerPAK SO-8. Vivienda (según ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 3430pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1327pF. Diodo Trr (Mín.): 22 ns. Función: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 340A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 83W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 33.8 ns. Td(encendido): 7.5 ns. Tecnología: Última tecnología Trench Power AlphaMOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25