transistor de canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

transistor de canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.25€
5-24
1.06€
25-49
0.93€
50-99
0.84€
100+
0.72€
Cantidad en inventario: 67

Transistor de canal N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 5uA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.7m Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 300pF. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. Función: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 110A. Marcado en la caja: AOY2610E. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 59.5W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 22 ns. Td(encendido): 6.5 ns. Tecnología: Trench Power AlphaSGTTM technology. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.4V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AOY2610E
31 parámetros
DI (T=100°C)
36A
DI (T=25°C)
46A
Idss (máx.)
5uA
Resistencia en encendido Rds activado
7.7m Ohms
Vivienda
TO-251 ( I-Pak )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-251 ( I-Pak )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
1100pF
Cantidad por caja
1
Costo)
300pF
Diodo Trr (Mín.)
19 ns
Función
High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
110A
Marcado en la caja
AOY2610E
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
59.5W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
22 ns
Td(encendido)
6.5 ns
Tecnología
Trench Power AlphaSGTTM technology
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.4V
Vgs(th) mín.
1.4V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors