Transistor de canal N AP40T03GJ, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 25m Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 655pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 145pF. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 95A. Marcado en la caja: 40T03 GP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25