Transistor de canal N AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 120pF. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Función: Conmutación rápida, convertidor CC/CC.. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: 4800C G M. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25