Transistor de canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 48A. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 48m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 8440pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1775pF. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 160A. Marcado en la caja: 88N30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 312W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25