transistor de canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.20€
5-24
1.03€
25-49
0.91€
50-99
0.82€
100+
0.70€
Cantidad en inventario: 74

Transistor de canal N AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 1700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 160pF. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Función: Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 90A. Marcado en la caja: 9971GH. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 39W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:35

Documentación técnica (PDF)
AP9971GH
33 parámetros
DI (T=100°C)
16A
DI (T=25°C)
25A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.036 Ohms
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
1700pF
Cantidad por caja
1
Costo)
160pF
Diodo Trr (Mín.)
37 ns
Función
Conmutación Rápida, Inversores, Fuentes de Alimentación
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
90A
Marcado en la caja
9971GH
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
39W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
26 ns
Td(encendido)
9 ns
Tecnología
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
3000
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Advanced Power