transistor de canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

transistor de canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Cantidad
Precio unitario
1-4
13.02€
5-14
12.17€
15-29
11.47€
30-59
10.93€
60+
9.91€
Cantidad en inventario: 13

Transistor de canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1685pF. Corriente del colector: 56A. Costo): 210pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 55ms. Diodo de germanio: no. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado de alta frecuencia. Ic (pulso): 65A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Td(apagado): 29 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: POWER MOS 7® IGBT. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:35

Documentación técnica (PDF)
APT15GP60BDQ1G
27 parámetros
Ic(T=100°C)
27A
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247
Tensión colector/emisor Vceo
600V
C(pulg)
1685pF
Corriente del colector
56A
Costo)
210pF
Diodo CE
Diodo Trr (Mín.)
55ms
Diodo de germanio
no
Función
Fuentes de alimentación de modo conmutado de alta frecuencia
Ic (pulso)
65A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
250W
RoHS
Td(apagado)
29 ns
Td(encendido)
8 ns
Tecnología
POWER MOS 7® IGBT
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.2V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
2.7V
Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.
3V
Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.
6V
Tensión puerta/emisor VGE
20V
Tipo de canal
N
Producto original del fabricante
Advanced Power