Transistor de canal N APT8075BVRG, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 2600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 270pF. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Función: conmutación rápida, baja fuga. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 48A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Power MOSV. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:35