transistor de canal N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v

transistor de canal N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.41€
5-24
1.26€
25-49
1.18€
50-99
1.11€
100+
0.98€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 41

Transistor de canal N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1.6pF. Función: HF-VHF. IDss (mín.): 6mA. IGF: 10mA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 3.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1.6V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:30

Documentación técnica (PDF)
BF245B
25 parámetros
DI (T=25°C)
25mA
Idss (máx.)
15mA
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
4pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1.6pF
Función
HF-VHF
IDss (mín.)
6mA
IGF
10mA
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
300mW
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
no
RoHS
Tecnología
Transistor de efecto de campo
Temperatura de funcionamiento
-...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
8V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
3.8V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
1.6V
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors

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