transistor de canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

transistor de canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.53€
5-49
0.40€
50-99
0.37€
100+
0.33€
Cantidad en inventario: 1482

Transistor de canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1.7pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 0.8pF. Función: HF-VHF. IDss (mín.): 12mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 22*. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 12mA. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Tecnología: Transistor de efecto de campo de unión de silicio. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BF545C
26 parámetros
DI (T=25°C)
25mA
Idss (máx.)
25mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
1.7pF
Cantidad por caja
1
Costo)
0.8pF
Función
HF-VHF
IDss (mín.)
12mA
IGF
10mA
Marcado en la caja
22*
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
12mA
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
no
RoHS
Tecnología
Transistor de efecto de campo de unión de silicio
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
7.8V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
3.2V
Producto original del fabricante
Fairchild