transistor de canal N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

transistor de canal N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.29€
5-24
0.23€
25-49
0.19€
50-99
0.17€
100+
0.15€
Cantidad en inventario: 319

Transistor de canal N BF990A, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 18mA. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Voltaje Vds(máx.): 18V. C(pulg): 3pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1.2pF. Función: Aplicaciones VHF y UHF con tensión de alimentación de 12V. IDss (mín.): 2mA. Marcado en la caja: M90. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: no. Tecnología: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura: +150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

BF990A
21 parámetros
DI (T=25°C)
30mA
Idss (máx.)
18mA
Vivienda
SOT-143
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-143
Voltaje Vds(máx.)
18V
C(pulg)
3pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1.2pF
Función
Aplicaciones VHF y UHF con tensión de alimentación de 12V
IDss (mín.)
2mA
Marcado en la caja
M90
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
4
Pd (disipación de potencia, máx.)
200mW
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
no
Tecnología
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatura
+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors