transistor de canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

transistor de canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

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Transistor de canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V. Vivienda: SOT-143. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 15mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143. Voltaje Vds(máx.): 12V. C(pulg): 2.1pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1.1pF. Función: Aplicaciones VHF y UHF con tensión de alimentación de 12V. IDss (mín.): 5mA. Marcado en la caja: MOS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Tecnología: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:30

Documentación técnica (PDF)
BF998
23 parámetros
Vivienda
SOT-143
DI (T=25°C)
30mA
Idss (máx.)
15mA
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-143
Voltaje Vds(máx.)
12V
C(pulg)
2.1pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1.1pF
Función
Aplicaciones VHF y UHF con tensión de alimentación de 12V
IDss (mín.)
5mA
Marcado en la caja
MOS
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
4
Pd (disipación de potencia, máx.)
200mW
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
no
RoHS
Tecnología
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura
+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Producto original del fabricante
Infineon Technologies