Transistor de canal N BS107ARL1G, TO-92, 200V, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, 200V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. DI (T=25°C): 250mA. Idss (máx.): 30nA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.4 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 60pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 30pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 250mA. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Identificación (diablillo): 500mA. Marcado del fabricante: BS107A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31