Transistor de canal N BS170G, TO-92, 60V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: BS170G. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45