transistor de canal N BSN20BKR, SOT23, 60V
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Transistor de canal N BSN20BKR, SOT23, 60V. Vivienda: SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 60V. Características: -. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 265mA. Información: -. MSL: 1. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.31W. Polaridad: MOSFET N. RoHS: no. Serie: -. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: 20V. Tipo de montaje: SMD. Voltaje de accionamiento: -. Producto original del fabricante: Nxp. Cantidad mínima: 20. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 00:49
BSN20BKR
11 parámetros
Vivienda
SOT23
Vdss (voltaje de drenaje a fuente)
60V
Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua)
265mA
MSL
1
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.31W
Polaridad
MOSFET N
RoHS
no
Tensión de puerta/fuente Vgs máx.
20V
Tipo de montaje
SMD
Producto original del fabricante
Nxp
Cantidad mínima
20