Transistor de canal N BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 250pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 88pF. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 10nA. Identificación (diablillo): 24A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 8.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31